场效应管

场效应管 （正體）

标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双门极金属—氧化物—半导体场效应管，金属门极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。  耗尽层 ,  电子云 ,  空穴 ,  金属 ,  绝缘体 . 上方：源极，下方：漏极，左方：门极，右方：主体。电压导致通道形成的细节没有画出

场效应管（Field Effect Transistor）是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件，按结构可分为

• 结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，JFET）
• 金属—氧化物—半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
• 金属半导体场效应管（MEtal Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET）
• 高速电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）
• 异质接面双载子晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor，HBT）
• 调制杂场效应管（Modulation Doped Field Effect Transistor，MODFET）

场效应管体积小、重量轻、耗电省、寿命长，并具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点，因而应用范围广，特别在大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）中得到广泛应用。

! __